专利详情

专利名称	磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法
申请号	CN201010118300.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101768729A	公开（授权）日	2010.07.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;王耀明;朱小龙;李爱民;张雷
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法至磁控溅射法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池光吸收层的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种铜铟镓硒(CIGS)太阳电池光吸收层薄膜的制备方法。本发明的特征在于在底电极上通过磁控溅射法，采用单靶溅射、富铜靶和贫铜靶同时或先后溅射，制备出具有高反应活性、可快速反应烧结的CIGS前驱薄膜，然后将CIGS前驱薄膜进行热处理，快速反应生成平整、致密、均匀、光电性能良好的CIGS太阳电池光吸收层薄膜。本发明所提供的制备方法，可控性强，薄膜质量高、均匀性好，工艺简单，适合工业化生产。