专利详情

专利名称	一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器
申请号	CN200910076048.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101770804A	公开（授权）日	2010.07.07
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	陈军养;刘东屏;温振超;韩秀峰;张曙丰
主分类号	G11C11/15(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/15(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01P7/10(2006.01)I
专利有效期	一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器至一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种基于Rashba效应的磁性随机存取存储器单元，包括磁性多层膜存储单元和写位线，其特征在于，所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层；所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层、中间层和上磁性层；所述写位线与所述非磁性层相连，以使写电流横向流经所述非磁性层并反转所述下磁性层的磁矩，实现数据的写入。本发明还提供具有类似结构的基于Rashba效应的可编程磁逻辑器件和自旋微波振荡器。本发明实现了读写分离，可以有效保护器件在反复高电流密度读写时不易被损坏，可以有效降低写电流密度，增加器件的可操作性；本发明还采用了闭合状几何结构的设计方案，可进一步减小磁场对器件的干扰。