专利详情

专利名称	相变存储器的写优化电路及其写优化方法
申请号	CN200910247484.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101770807A	公开（授权）日	2010.07.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈后鹏;蔡道林;陈小刚;宋志棠
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I
专利有效期	相变存储器的写优化电路及其写优化方法至相变存储器的写优化电路及其写优化方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明揭示了一种相变存储器的写优化电路及其写优化方法，写优化电路包括写优化控制电路、脉冲控制电路、可变电流源电路、数据读出电路、修调电路、振荡器电路、相变存储器电路；在存储器上电初始化阶段，存储器的译码控制电路选择一个存储器块，对其中一个存储单元在脉冲控制电路和修调电路的控制下，控制可变电流源电路进行写Reset操作，操作结果由数据读出电路读出；数据读出电路的读出结果一方面控制写优化控制电路的状态，控制脉冲控制电路是否还要发写脉冲；另一方面控制修调电路是否要对电流源进行修调，修调后该存储器块的写Reset电流则固定下来。本发明通过可变电流源电路调节存储器的电流，优化写Reset电流，在很大程度上减小系统的功耗。