专利详情

专利名称	一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺
申请号	CN200910200965.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101771052A	公开（授权）日	2010.07.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	肖德元;王曦;陈静
主分类号	H01L27/108(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I
专利有效期	一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺至一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺。其结构包括位于埋层氧化层上的P型半导体区、位于P型半导体区上的N型半导体区以及位于N型半导体区上的栅极区，N型半导体区、P型半导体区四周设有电隔离区。利用隔离的浮体栅二极管作存储节点，通过带与带间的隧道穿透，电子在浮体积聚定义为第一种存储状态；通过PN结正向偏置，电子从浮体发射出去或者空穴注入到浮体，定义为第二种存储状态；这两种状态造成浮体栅二极管(N+/P+)正向开启电压的差异，通过电流的大小可以感知。本发明是一种高效低功耗高密度栅二极管(N+/P+)浮体存储器单元，具备制作工艺简单、集成密度高、成本低廉及可靠性高等优点。