一种制备石墨炔薄膜的方法
- 申请号：CN201010102048.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号：CN101774570A
- 公开(公开)日：2010.07.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备石墨炔薄膜的方法 | ||
| 申请号 | CN201010102048.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101774570A | 公开（授权）日 | 2010.07.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 李玉良;刘辉彪;李国兴 |
| 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备石墨炔薄膜的方法 至一种制备石墨炔薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备石墨炔薄膜的方法。该方法，是以铜片或任意表面覆盖有铜薄膜层的基底为基底，六炔基苯在铜的催化作用下于溶剂中发生偶联反应，在所述基底的表面得到所述石墨炔薄膜。本发明提供的制备石墨炔薄膜的方法，工艺简便，能够在铜片或任意表面覆盖有金属铜的基底表面大规模制备石墨炔薄膜，其电导率为2.516×10-4S/m，该薄膜表面均匀，可在空气中稳定存在，是一种与硅性能相近的半导体，在催化、电子、半导体、能源和材料等领域的具有潜在的应用前景。 | ||
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