高比表面基底负载Bi2WO6光催化膜、方法及应用
- 申请号：CN200910197580.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101745402A
- 公开(公开)日：2010.06.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 高比表面基底负载Bi2WO6光催化膜、方法及应用 | ||
| 申请号 | CN200910197580.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101745402A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王文中;徐婕慧 |
| 主分类号 | B01J23/888(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J23/888(2006.01)I;B01J23/31(2006.01)I;B01J27/24(2006.01)I;B01J35/02(2006.01)I;B01J37/00(2006.01)I;A62D3/17(2007.01)I;B01D53/86(2006.01)I;B01D53/72(2006.01)I;A01N59/16(2006.01)I;A01N59/20(2006.01)I;A01P1/00(2006.01)I;C02F1/30(2006.01)I;C02F101/30(2006.0 |
| 专利有效期 | 高比表面基底负载Bi2WO6光催化膜、方法及应用 至高比表面基底负载Bi2WO6光催化膜、方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种高比表面基底负载的Bi2WO6光催化膜、方法及应用。首先，在60～300℃下制备Bi2WO6纳米粉体，再将洁净的高比表面基底浸入Bi2WO6悬浮液中制得Bi2WO6膜，最后经100～950℃热处理，制得高比表面基底负载的Bi2WO6光催化膜。所述的高比表面基底为金属网、泡沫金属或多孔陶瓷。所制备的Bi2WO6膜具有Bi2WO6颗粒尺寸小、光催化活性高、循环性能好、制备工艺简单及生产成本低等特点。同时，此光催化膜可以方便地回收和再利用，解决了纳米光催化剂实际应用中回收困难的难题。用于可见光下降解RhB、空气净化以及光催化抗菌活性方面。 | ||
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