半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201110137573.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102800620A
- 公开(公开)日：2012.11.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201110137573.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102800620A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。其中，该方法包括：提供半导体层，所述半导体层形成于绝缘层上；在所述半导体层上形成掩膜图形，所述掩膜图形暴露部分区域的所述半导体层；将暴露区域的所述半导体层去除确定高度，以形成凹槽；在所述掩膜图形和所述凹槽中形成栅堆叠；去除所述掩膜图形，以暴露所述栅堆叠的部分侧壁。既利于满足对SOI厚度的精度要求，相对于具有相同的栅堆叠处SOI厚度的器件，还可以相应地增加源漏区的厚度，利于降低源漏区的寄生电阻。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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