电子元件封装体及其制造方法
- 申请号：CN201210311618.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102800636A
- 公开(公开)日：2012.11.28
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 电子元件封装体及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210311618.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102800636A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张静;宋崇申;张霞 |
| 主分类号 | H01L23/38(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/38(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I |
| 专利有效期 | 电子元件封装体及其制造方法 至电子元件封装体及其制造方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种电子元件封装体结构，包括位于封装体内部的耦合在一起的热电制冷单元和有源元件。所述热电制冷单元包括串联连接的至少一个N型制冷元件和至少一个P型制冷元件。相应地，还提供了两种该电子元件封装体结构的制作方法。通过将单个或者多个热电制冷单元串联埋入到多层封装基板中，为有源元件埋入技术提供了有效的散热。解决了三维系统封装，特别是有源器件埋入封装技术中热量无法带出的问题，增加了芯片的散热性能。 | ||
交易流程
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