专利详情

专利名称	一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法
申请号	CN201110138464.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102800632A	公开（授权）日	2012.11.28
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;王晨杰;霍宗亮;张满红;王琴;刘璟;谢常青
主分类号	H01L21/8247(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I
专利有效期	一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法至一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上通过浅槽隔离形成器件的有源区和沟道区；采用低温化学气相沉积与原子层沉积技术相结合的方法，在衬底上形成包括隧穿层、电荷存储层及阻挡层的多叠层栅介质层，通过光刻形成图形；通过低温化学气相沉积和光刻方法形成栅介质层的侧墙和掩膜层；通过离子注入形成源漏区及其扩展区，并通过激光激活；在栅介质层上形成栅电极，栅电极上层沉积多晶硅介质，形成多层栅电极层；采用低温化学气相沉积方法，执行栅结构的隔离、封装操作，并通过金属互联引出栅和源、漏电极。通过本发明，可以减小存储器制造流程中的热预算，抑制了高介电常数材料薄膜介质层的结晶化问题。