深硅刻蚀方法
- 申请号：CN201210307648.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN102800567A
- 公开(公开)日：2012.11.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 深硅刻蚀方法 | ||
| 申请号 | CN201210307648.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102800567A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 付思齐;时文华;王敏锐;张宝顺 |
| 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 深硅刻蚀方法 至深硅刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形具有不同宽度的沟槽，利用细线条沿所述沟槽的宽度方向对所述沟槽进行分割，并使得分割后所有沟槽的宽度相同；s2、根据设计的光刻版图形在待加工样品上形成掩膜；s3、在掩膜下对待加工样品进行深硅ICP刻蚀，同时刻蚀掉所述细线条形成的掩膜部分。通过本发明技术方案的应用，能有效减小深硅刻蚀中由于沟槽宽度尺寸较大的差异导致侧壁形貌变化，将侧壁陡直度偏差控制在1μm之内。 | ||
交易流程
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