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一种片式氧传感器的绝缘层浆料及绝缘层制备方法

  • 申请号:CN201210245798.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 公开(公开)号:CN102786294A
  • 公开(公开)日:2012.11.21
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种片式氧传感器的绝缘层浆料及绝缘层制备方法
申请号 CN201210245798.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102786294A 公开(授权)日 2012.11.21
申请(专利权)人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明(设计)人 王蔚国;陈涛;李景超;蒋蓉蓉;刘振彬;黄宗波
主分类号 C04B35/10(2006.01)I IPC主分类号 C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期 一种片式氧传感器的绝缘层浆料及绝缘层制备方法 至一种片式氧传感器的绝缘层浆料及绝缘层制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种片式氧传感器的绝缘层浆料,由0.1~10wt%的固溶体添加剂,0.5~10wt%的玻璃相、1~10wt%的有机粘结剂、10~50%wt的有机溶剂、0~10wt%的其它有机添加物、10~40wt%的γ-Al2O3,余量为α-Al2O3组成。该绝缘层浆料由于采用高活性的γ-Al2O3替代部分α-Al2O3,不仅具有与片式氧传感器基片的烧结收缩相匹配的特点,能够降低烧结温度、增大烧结收缩率、提高与片式氧传感器基片的附着性能,而且降低了助烧剂和固溶体添加剂的含量。将该绝缘层浆料按一定图案丝网印刷在片式氧传感器表面,然后以分段递增的升温方式加热至烧结温度,最后自然冷却至常温,得到的绝缘层的绝缘性能良好。

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