分裂栅存储器及其制造方法
- 申请号：CN201110147095.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102810560A
- 公开(公开)日：2012.12.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 分裂栅存储器及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201110147095.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102810560A | 公开（授权）日 | 2012.12.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;姜丹丹;霍宗亮;张满红;王琴;刘璟;谢常青 |
| 主分类号 | H01L29/43(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/43(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 分裂栅存储器及其制造方法 至分裂栅存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种分裂栅存储器，隧穿介质层采用低k介质材料。通过采用低介电常数材料作为分裂栅存储器中的隧穿介质层，由于具有低的介电常数，从而在不增加其隧穿介质层厚度的情况下，有效的降低了控制栅介质层与电荷存储层之间的耦合电容，使得其擦除操作电压有效降低，擦除操作速度得到有效提高。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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