专利详情

专利名称	应用于气体传感器的原位还原法掺杂的敏感膜的制备方法
申请号	CN201210266804.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102816995A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李冬梅;陈鑫;梁圣法;詹爽;谢常青;刘明
主分类号	C23C14/14(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/14(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I
专利有效期	应用于气体传感器的原位还原法掺杂的敏感膜的制备方法至应用于气体传感器的原位还原法掺杂的敏感膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种应用于气体传感器的原位还原法掺杂的敏感膜的制备方法，该方法包括：在衬底上生长一定厚度的Sn；将生长有Sn的衬底浸入含有AgNO3、HAuCl4、H2PtCl6和Pd(NO3)2的溶液中；以及对浸入含有AgNO3、HAuCl4、H2PtCl6和Pd(NO3)2的溶液后的生长有Sn的衬底进行热氧化。利用本发明，掺杂后的敏感膜对CO和H2等气体的敏感度和稳定性都有很大的改善，SnO2敏感膜的粘附性好，可控掺杂性好，而且一致性好，易于批量生产。并且，本发明具有制备方法简单，成本低，易于控制等优点。