专利详情

专利名称	微测辐射热计红外探测器及其制备方法
申请号	CN201110150974.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102818638A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院深圳先进技术研究院	发明（设计）人	俞挺;于峰崎;彭本贤
主分类号	G01J5/20(2006.01)I	IPC主分类号	G01J5/20(2006.01)I
专利有效期	微测辐射热计红外探测器及其制备方法至微测辐射热计红外探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种微测辐射热计红外探测器的制备方法，包括下列步骤：步骤A，采用CMOS工艺制造信号处理电路，同时形成红外探测器单元半成品；步骤B，采用干法刻蚀工艺刻蚀红外探测器单元半成品，形成腐蚀窗口；步骤C，淀积保护层，并刻蚀保护层形成侧墙；步骤D，通过腐蚀窗口腐蚀硅衬底，在红外探测器单元中制作悬空的悬臂和红外吸收层，并形成空腔。上述微测辐射热计红外探测器的制备方法，采用市场上商业标准CMOS工艺与MEMS工艺相结合，可以将红外探测单元与信号处理电路集成在一个芯片上，其制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容，易于集成，非常适合大批量生产。相对于采用成本昂贵及工艺不成熟的SOI技术来说，成本得到大大降低，易于实现工业化量产。