专利详情

专利名称	一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构
申请号	CN201210301567.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102820277A	公开（授权）日	2012.12.12
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉
主分类号	H01L23/498(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/498(2006.01)I;H01L23/15(2006.01)I
专利有效期	一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构至一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构，所述的覆铜陶瓷基板的正面覆铜层包括流过主电流的铜箔（120、121、122）以及辅助控制极的铜箔（101、102，110、111）。所述的辅助控制极铜箔包括：辅助栅极控制铜箔（102、111）和辅助发射极控制铜箔（101、110）。IGBT的栅极控制端子（103）通过绑定线连接到IGBT的辅助栅极控制铜箔（102），并通过绑定线进一步连接到IGBT芯片的栅极焊盘（109）。IGBT的发射极控制端子（104）通过绑定线连接到IGBT的辅助发射极控制铜箔（101），并通过绑定线连接到与IGBT的发射极相连的主电流铜箔（120）。