专利详情

专利名称	石斛属的快繁与离体保存方法
申请号	CN200810058044.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101213941	公开（授权）日	2008.07.09
申请（专利权）人	中国科学院昆明植物研究所	发明（设计）人	龙春林;程治英;罗吉凤
主分类号	A01H4/00(2006.01)I	IPC主分类号	A01H4/00(2006.01)I;A01N3/00(2006.01)I;C12N5/04(2006.01)N
专利有效期	石斛属的快繁与离体保存方法至石斛属的快繁与离体保存方法	法律状态	授权
说明书摘要	石斛属的快繁与离体保存方法： (1)取石斛属果实内种子或茎尖或带腋芽的幼茎，果在纯乙醇中沾一下，然后在酒精灯火焰上燃烧然后用于接种；茎尖或幼茎在70％乙醇中浸一下，投入0.2％升汞8min，无菌水冲洗干净后接种在培养基中，待种子萌发或茎尖和幼茎长成拟原球茎，进行继代培养大量增殖，然后将原球茎放在分化芽的培养基上，待芽条高2-3cm时转入生根培养基，长成具根和4-5片叶的试管苗； (2)选择石斛属培养物即3个不同发育阶段的培养材料也就是由石斛属种子萌发后产生的胚性组织即原球茎或茎尖和茎基部形成的拟原球茎，由原球茎或拟原球茎分化产生的丛芽，由丛芽分化产生的具根和4-5片叶的试管苗，在培养基为1/2MS+NAA1mg.L^-1+S2％，温度为15-20℃中进行离体保存。