
铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池
- 申请号:CN201210282465.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:深圳先进技术研究院;香港中文大学
- 公开(公开)号:CN102820345A
- 公开(公开)日:2012.12.12
- 法律状态:实质审查的生效
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 | ||
申请号 | CN201210282465.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102820345A | 公开(授权)日 | 2012.12.12 |
申请(专利权)人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明(设计)人 | 刘壮;肖旭东;杨春雷;顾光一;罗海林;冯叶;程冠铭 |
主分类号 | H01L31/032(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/065(2012.01)I |
专利有效期 | 铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 至铜锌锡锗硒薄膜及其制备方法、铜锌锡锗硒薄膜太阳能电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 一种铜锌锡锗硒薄膜,包括依次层叠的入光层、中间层及背光层;所述入光层包括第一入光面及与所述第一入光面相对的第一背光面,所述入光层的材料中锗与锡的摩尔比值沿所述第一入光面到所述第一背光面的方向逐渐降低;所述中间层的材料与所述第一背光面处材料中锗与锡的摩尔比值相等;所述背光层包括与所述中间层相连的第二入光面及远离所述中间层的第二背光面,所述第一背光面通过所述中间层与所述第二入光面相连接,所述背光层的材料中锗与锡的摩尔比值沿所述第二入光面到所述第二背光面的方向逐渐升高。同时还提供了一种铜锌锡锗硒薄膜的制备方法及使用该铜锌锡锗硒薄膜的太阳能电池。 |
交易流程
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