专利详情

专利名称	一种相变存储器单元及其制备方法
申请号	CN201210335211.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102832340A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	周夕淋;宋志棠;吴良才;饶峰
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储器单元及其制备方法至一种相变存储器单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变单元的操作速度；采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜，以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相变材料可以是二元的材料体系，如Ge-Te、Sb-Te等相变材料；也可以是三元的材料体系，如Ge-Sb-Te、Si-Sb-Te、Al-Sb-Te、Ti-Sb-Te等相变材料；诱导结晶层锑薄膜的厚度控制在1-5nm。由于锑原子能够促进相变材料结晶过程中晶粒的生长，因此植入的锑薄膜层能与周围的相变材料形成富锑的相变材料体系，以加快相变材料在结晶过程中的晶化速率，从而有助于提高相变存储器存储单元的操作速度。