专利详情

专利名称	高频内匹配功率器件的封装方法
申请号	CN201210319726.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102832145A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	罗卫军;陈晓娟;杨成樾;刘新宇
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I
专利有效期	高频内匹配功率器件的封装方法至高频内匹配功率器件的封装方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种高频内匹配功率器件的封装方法，包括：将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内；将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内；将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连；将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。本发明提供的一种高频内匹配功率器件的封装方法，采用两级LCL输入匹配的封装方式，降低了输入匹配电路的Q值，从而增大了内匹配功率器件的带宽、增益和输出功率，此外，本发明分别采用金锡、金锗将高频功率器件、陶瓷电容和匹配电路共晶在管壳内，保证了物理连接的牢固性，并增加了功率器件的热导率。