专利详情

专利名称	InGaN太阳能电池及其制作方法
申请号	CN201210319268.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102832272A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;杨辉
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	InGaN太阳能电池及其制作方法至InGaN太阳能电池及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。