专利详情

专利名称	氮化镓基液体传感器及其制备方法
申请号	CN201210319891.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102830137A	公开（授权）日	2012.12.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇
主分类号	G01N27/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/00(2006.01)I
专利有效期	氮化镓基液体传感器及其制备方法至氮化镓基液体传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种氮化镓基液体传感器，包括：欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极及半导体衬底；所述半导体衬底外延上生长有AlGaN/GaN异质结材料结构；所述欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极分别设置在所述AlGaN/GaN异质结材料结构上表面。本发明还公开了一种氮化镓基液体传感器的制备方法。本发明提供的一种氮化镓基液体传感器及其制备方法，结合AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点，研制出性能优异的液体传感器，在国家安全、环境保护、医疗卫生、食品安全等领域都具有广泛的应用前景。