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铜锌镉锡硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法

  • 申请号:CN201010118303.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN101771106A
  • 公开(公开)日:2010.07.07
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 铜锌镉锡硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法
申请号 CN201010118303.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101771106A 公开(授权)日 2010.07.07
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 黄富强;王耀明;丁尚军
主分类号 H01L31/18(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/18(2006.01)I
专利有效期 铜锌镉锡硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 至铜锌镉锡硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法 法律状态 授权
说明书摘要 一种铜锌镉锡硫硒(CZCTSS)薄膜太阳电池光吸收层的制备方法。本发明采用有机溶剂,按CZCTSS薄膜太阳电池光吸收层的化学计量比,制备含铜、锌、镉、锡、硫和硒的有机胶体溶液,然后通过非真空液相工艺,制备出CZCTSS前驱薄膜,经干燥、退火后,生产CZCTSS薄膜太阳电池光吸收层。本发明所提供的制备方法,工艺简单,成本低廉,设备投资少,原料利用率高,可控性强,可重复性好,易于实现大面积、高质量薄膜的制备和大规模生产。

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