专利详情

专利名称	一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法
申请号	CN201110131693.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102788723A	公开（授权）日	2012.11.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;李颖涛;王艳;谢常青
主分类号	G01N1/32(2006.01)I	IPC主分类号	G01N1/32(2006.01)I
专利有效期	一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法至一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法。所述方法包括以下步骤：将金属探针的顶端针尖削平形成表面平整的平台；在金属探针的顶端平台上制备两端半导体器件；在形成两端半导体器件的顶端淀积一层保护层；以所述保护层为掩膜，对两端半导体器件进行减薄形成薄片；对两端半导体器件的薄片进行分割，形成多个独立的TEM测试样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题，避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤，减小了样品制备的难度，提高了样品制备的成功率，大大降低了样品的制备成本。