专利详情

专利名称	SOI MOS器件的建模方法
申请号	CN201210248270.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102789530A	公开（授权）日	2012.11.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	SOI MOS器件的建模方法至SOI MOS器件的建模方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种SOI?MOS器件的建模方法，其中该SOI?MOS器件为源漏注入不到底的SOI?MOS器件，该方法包括：a）建立包含模拟源漏注入到底的SOI?MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟源体PN结底面电容的源体PN结底面电容模型和模拟漏体PN结底面电容的漏体PN结底面电容模型的总体模型；b）对总体模型中的初级MOS器件模型和源体PN结底面电容模型和漏体PN结底面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑源漏注入不到底的SOI?MOS器件中源体结底面电容以及漏体结底面电容对于器件性能的影响，提高了模型的精确度，能够有效的运用于对器件的仿真设计。