专利详情

专利名称	提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法
申请号	CN201110125319.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102789974A	公开（授权）日	2012.11.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	杨涛;刘金彪;李俊峰;赵超
主分类号	H01L21/3105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I
专利有效期	提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法至提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法，包括：在浅沟槽中淀积形成氧化硅隔离层，所述氧化硅隔离层具有凸出部分和凹陷部分；执行离子注入，改变所述凸出部分的结晶状态；对所述氧化硅隔离层执行化学机械抛光，直至露出停止层。依照本发明的提高浅沟槽隔离化学机械平坦化均匀性的方法，采用了离子注入与氧化硅CMP工艺复合使用，通过对凸出部分氧化硅进行离子注入处理，来提高CMP研磨液对凸出部分氧化硅的材料移除速率。在STI?CMP过程中，达到降低浅沟槽隔离区和非隔离区上方氧化层的厚度落差的目的，从而提高STICMP工艺的平坦化均匀性，即降低产生凹陷缺陷的程度。