一类锑化钼基热电材料的制备方法
- 申请号：CN200710173109.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101217178
- 公开(公开)日：2008.07.09
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一类锑化钼基热电材料的制备方法 | ||
| 申请号 | CN200710173109.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101217178 | 公开（授权）日 | 2008.07.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈立东;史啸亚;柏胜强;裴艳中;吴汀 |
| 主分类号 | H01L35/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/34(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I;B22F3/105(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一类锑化钼基热电材料的制备方法 至一类锑化钼基热电材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及掺杂的锑化钼基热电材料及制备方法，其特征在于采用电弧 熔炼和放电等离子快速烧结方法相结合。所提供的制备方法为电弧熔炼和放 电等离子快速烧结，先用Sb与Te/Se熔融形成Sb2Te3/Sb2Se3后再与化学计量 比的Mo、Sb进行电弧熔融，最后引入放电等离子快速烧结技术制得致密的 单相材料，本发明提供了一种快速、简单、有效的锑化钼基热电材料的制备 方法，具有良好的实用前景。 | ||
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