专利详情

专利名称	背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
申请号	CN200710173512.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101241946	公开（授权）日	2008.08.13
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	唐恒敬;张可锋;吴小利;朱慧;李永富;宁锦华;李淘;汪洋;李雪;龚海梅
主分类号	H01L31/105(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺至背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在 p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP外延片上刻蚀形成p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs微台面， InGaAs吸收层厚度设计为1.1um至1.5um，掺杂浓度为3-5×10¹⁶cm^-3，硫化 +SiNx钝化膜并引入退火工艺，可达到有效减小表面和侧面的复合，降低界面态密度，提高器件探测率和均匀性的目的，p型电极引出区生长有一层p-InGaAs 电极过渡层，电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极与p-InGaAs接触是很好的欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能，同时采用背照射方式，入射光不会被p型电极引出层p-InGaAs吸收，有利于提高器件的响应率，背面低温淀积 ZnS增透膜可以进一步提高器件的响应率和量子效率。