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Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法

  • 申请号:CN201010101833.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
  • 公开(公开)号:CN101798108A
  • 公开(公开)日:2010.08.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法
申请号 CN201010101833.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101798108A 公开(授权)日 2010.08.11
申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 刘玉峰;陈鑫;葛美英;吴杰;孙艳;戴宁
主分类号 C01G19/00(2006.01)I IPC主分类号 C01G19/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期 Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 至Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种用乙基黄原酸盐制备Cu2ZnSnS4纳米晶的方法,该方法是通过将反应物前驱体乙基黄原酸铜、乙基黄原酸锌、乙基黄原酸锡三种乙基黄原酸盐前躯体和油胺加入反应烧瓶中,然后升高温度进行反应,最终得到高质量的Cu2ZnSnS4纳米晶。本发明的优点在于:纳米晶的制备方法简单,元素化学计量比控制精确,所用前驱体材料成本低廉、无毒性,制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的纳米晶可作为光伏器件的吸收层。

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