专利详情

专利名称	一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法
申请号	CN200810240080.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101752504A	公开（授权）日	2010.06.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江
主分类号	H01L51/40(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法至一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种制备无过孔全有机场效应晶体管的方法，包括：清洗干净柔性塑料衬底；使用光刻和剥离工艺在塑料衬底上制备出器件的栅电极；在器件区域内通过接触式微区旋涂在栅电极上涂敷有机栅介质；烘烤有机栅介质，在有机栅介质上光刻出源漏电极的图形；再次蒸镀金属电极，该电极引线直接从源漏电极上跨过栅介质边缘连到塑料衬底上；剥离光刻胶后得到图形化了的全有机场效应晶体管器件的电极图；真空蒸镀有机半导体层，完成器件的制作。利用本发明，在工艺上是与成熟的光刻工艺相兼容，且工艺过程中回避了制作过孔的过程，简化了工艺流程从而保证了器件的性能。