
复合存储单元和存储器
- 申请号:CN201110046327.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102651233A
- 公开(公开)日:2012.08.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 复合存储单元和存储器 | ||
申请号 | CN201110046327.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102651233A | 公开(授权)日 | 2012.08.29 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 刘明;许中广;霍宗亮;谢常青;龙世兵;张满红;李冬梅;王琴;刘璟 |
主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I |
专利有效期 | 复合存储单元和存储器 至复合存储单元和存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种复合存储单元和存储器。该复合存储单元包括:浮栅子单元;以及形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元;其中,RRAM子单元作为存储模块时,浮栅子单元作为选通模块;而RRAM子单元处于低阻态时,浮栅子单元作为存储模块。本发明综合利用了浮栅存储方式的高密度、高可靠性、串扰小、耐受性高等优点和RRAM存储方式的低功耗、高速度、结构简单等优点。 |
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