专利详情

专利名称	一种新型存储系统
申请号	CN200810040948.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101329894	公开（授权）日	2008.12.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;丁晟;陈邦明;刘波;陈小刚;蔡道林;封松林
主分类号	G11C7/10(2006.01)I	IPC主分类号	G11C7/10(2006.01)I
专利有效期	一种新型存储系统至一种新型存储系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种新型存储系统，它充分发挥相变存储器的优点，结合当今与未来擦、写速度更快与循环次数更高的存储器来实现低压、低功耗、高速与长寿命的功效。这种新型存储系统，对相变存储块进行实时的探测，以读写频率为依据，对不同的相变存储块采用不同的读写方式，通过设定读写操作频率的参考值以及主体存储器部分与副体存储器部分的容量比例来调节整个存储系统的读写次数、速度和功耗。它的另一个优点是仅仅只需修改少量的参数便可以设计出完全不同的相变存储芯片，同时也使不同应用领域的相变存储器设计纳入到一个体系中。