专利详情

专利名称	一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法
申请号	CN200810040950.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101329907	公开（授权）日	2008.12.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;丁晟;陈邦明;刘波;陈小刚;蔡道林;封松林
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I
专利有效期	一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法至一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待写入数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待写入数据与存储器原始存入数据不同，则进行编程操作。由于存储器的状态处于“0”与“1”两种状态，按照概率理论，待写入数据与存储器原始数据相同的概率为50％，故该方法能够降低存储芯片50％的功耗，提高了存储单元的存储寿命，同时擦、写时间比读的时间要长，因此该发明也可提高芯片的存储速度。