专利详情

专利名称	一种提高相变存储器编程速度的系统及方法
申请号	CN200810040952.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101329909	公开（授权）日	2008.12.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	丁晟;宋志棠;陈邦明;刘波;陈小刚;蔡道林;封松林
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I
专利有效期	一种提高相变存储器编程速度的系统及方法至一种提高相变存储器编程速度的系统及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的系统及方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后，对上一或多个存储单元再进行一次编程操作。如此循环往复，将读反馈与编程操作并行进行，在提高存储其编程操作可靠性的同时，不影响整体编程速度。