专利详情

专利名称	一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法
申请号	CN201110114635.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102765940A	公开（授权）日	2012.11.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈健;黄政仁;刘学建;高剑琴
主分类号	C04B35/565(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I
专利有效期	一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法至一种常压固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供了一种固相烧结微孔碳化硅陶瓷及其制备方法。碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤：1）以SiC粉体、B4C粉体、球形PMMA和酚醛树脂为原料；2）将所述原料配成固含量为40-45wt%的浆料，进行球磨混合；3）将球磨混合后的浆料烘干，再研磨粉碎后过筛，将得到的粉体干压成型；4）将成型后的样品真空脱粘后，在常压惰性气氛条件下烧结，烧结温度为1900-2300℃，保温时间为1-2h。所制得的陶瓷材料不但具有良好的摩擦性能，并且具有较高的密度及抗弯强度。