专利详情

专利名称	用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法
申请号	CN201110306843.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102361063A	公开（授权）日	2012.02.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	吕业刚;宋三年;彭程;饶峰;宋志棠;刘波;吴良才
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I
专利有效期	用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法至用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料是一种由铜、锑、碲三种元素组成的材料，其通式为CuxSbyTez，其中0＜x≤40，15≤y≤85，15≤y≤85。这种材料可以通过调节材料中三种元素的含量得到不同结晶温度、熔点和结晶速率，适当调节Cu-Sb-Te中元素比例，进而可以得到比传统的Ge2Sb2Te5(GST)具有更高的结晶温度、更好的热稳定性、更低的熔点和更快的结晶速度。另外，铜互联是目前超大规模集成电路中的主流互联技术，该技术的广泛应用使得Cu元素的加工工艺趋向成熟，因而本发明的Cu-Sb-Te相变材料易于加工，与COMS兼容性好。