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一种T型栅HEMT器件及其制作方法

  • 申请号:CN201110340553.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102361010A
  • 公开(公开)日:2012.02.22
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种T型栅HEMT器件及其制作方法
申请号 CN201110340553.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102361010A 公开(授权)日 2012.02.22
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果
主分类号 H01L21/335(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 至一种T型栅HEMT器件及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法,该方法包括:提供基底,所述基底包括:本体层、外延层、源极、漏极和钝化层;在所述钝化层表面内形成细栅图形;在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层,在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形;在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形;形成T型栅,所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内,且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分,靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀,在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场,进而降低漏压,使得器件的击穿电压升高。

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