专利详情

专利名称	一种T型栅HEMT器件及其制作方法
申请号	CN201110340553.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102361010A	公开（授权）日	2012.02.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	一种T型栅HEMT器件及其制作方法至一种T型栅HEMT器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成细栅图形；在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形；形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分，靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀，在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场，进而降低漏压，使得器件的击穿电压升高。