
一种T型栅HEMT器件及其制作方法
- 申请号:CN201110340553.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102361010A
- 公开(公开)日:2012.02.22
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 | ||
申请号 | CN201110340553.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102361010A | 公开(授权)日 | 2012.02.22 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 |
主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
专利有效期 | 一种T型栅HEMT器件及其制作方法 至一种T型栅HEMT器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开一种T型栅HEMT器件及其制作方法,该方法包括:提供基底,所述基底包括:本体层、外延层、源极、漏极和钝化层;在所述钝化层表面内形成细栅图形;在具有细栅图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层,在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形;在所述钝化层表面内和外延层表面内形成T型栅图形的栅脚图形;形成T型栅,所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内,且所述栅脚底部被分为呈阶梯状排列的两部分,靠近源极的部分比靠近漏极的部分长。T型栅产生的电场更加均匀,在实际应用的时候可以降低栅脚靠近漏极一侧的边缘电场,进而降低漏压,使得器件的击穿电压升高。 |
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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