专利详情

专利名称	太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法
申请号	CN200710043823.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101345395	公开（授权）日	2009.01.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	曹俊诚;黎华;韩英军
主分类号	H01S5/22(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/22(2006.01)I;H01L21/3063(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;C23F1/16(2006.01)I
专利有效期	太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法至太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，首先采用光刻显影制作腐蚀掩膜、坚膜，然后用稀盐酸去除器件材料表面的氧化膜，再将器件材料用相应的夹具固定放入盛有稀释的硫酸腐蚀液的器皿中，并采用磁力搅拌器进行湿法腐蚀，当腐蚀结束后，迅速将器件材料从腐蚀液中取出，用过量的去离子水冲洗，然后用高纯氮气吹干，再将器件材料放入丙酮溶液中去除表面的光刻胶掩膜后，进行台阶仪测试以确定腐蚀深度，如此可使腐蚀方便快捷，且由于腐蚀速率低，可更容易控制腐蚀深度，特别是在腐蚀深度深，腐蚀时间长的情况下，其优势显得格外突出。