一种长寿命覆膜浸渍钡钨阴极及其制备方法
- 申请号：CN201010227142.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院电子学研究所
- 公开(公开)号：CN102315062A
- 公开(公开)日：2012.01.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种长寿命覆膜浸渍钡钨阴极及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201010227142.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102315062A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 张明晨;张洪来;刘濮鲲;李玉涛 |
| 主分类号 | H01J23/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J23/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种长寿命覆膜浸渍钡钨阴极及其制备方法 至一种长寿命覆膜浸渍钡钨阴极及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种长寿命覆膜浸渍钡钨阴极及其制备方法，涉及电真空器件技术，采用了双层膜和双层钨海绵基体的结构设计，该类型阴极具有发射电流密度大、寿命长等特点，加速寿命试验结果表明，阴极工作温度960℃，电流密度2A/cm2，阴极寿命超过150，000小时。本发明提高钡钨阴极的发射电流密度，增加活性物质的储存，延长阴极寿命，寿命达到12～15年，满足了空间行波管对热阴极长寿命的发展需求。 | ||
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