一种去除高熔点黏附剂的方法
- 申请号：CN201010223347.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102310059A
- 公开(公开)日：2012.01.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种去除高熔点黏附剂的方法 | ||
| 申请号 | CN201010223347.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102310059A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 |
| 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种去除高熔点黏附剂的方法 至一种去除高熔点黏附剂的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法，该方法采用从320℃～50℃的梯形依次递减的温度层次，兼容各种熔点有机黏附剂的去除，使用时可以合理组合各个温度层次，并可以随时调节相应需要的pH值，操作使用无毒性，无污染，绿色，环保，能够有效应用于各种有机黏附剂的去除，减少了黏附剂残渣对材料和设备的污染，为半导体后道工艺提供了可靠的工艺手段。 | ||
交易流程
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