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一种优化集成电路版图热分布的方法

  • 申请号:CN201010216481.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102314526A
  • 公开(公开)日:2012.01.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种优化集成电路版图热分布的方法
申请号 CN201010216481.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102314526A 公开(授权)日 2012.01.11
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 吴玉平;陈岚;叶甜春
主分类号 G06F17/50(2006.01)I IPC主分类号 G06F17/50(2006.01)I
专利有效期 一种优化集成电路版图热分布的方法 至一种优化集成电路版图热分布的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种优化集成电路版图热分布的方法,属于集成电路设计自动化领域。该方法包括:输入电路网表、电路仿真结果、电路的物理版图和电路的物理设计规则;进行电路分析,确定电路中的关键器件和关键线网;根据电路的物理设计规则,在电路的物理版图上设定填充障碍;进行热分析,确定电路的物理版图上的关键热点;为关键热点增加导热通路,根据导热通路和电路的物理设计规则在金属层上依据填充哑金属图形,根据导热通路和设计规则增加哑金属通孔以连接导热通路上的哑金属图形,直至不能通过新的哑金属填充优化电路的物理版图热分布;输出填充的金属图形到物理版图数据库。本发明可有效地通过哑金属填充优化集成电路物理版图上的热分布。

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