使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法
- 申请号：CN201010227256.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102315224A
- 公开(公开)日：2012.01.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010227256.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102315224A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
| 专利有效期 | 使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 至使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括：半导体鳍片，位于绝缘层上方；沟道区，位于所述半导体鳍片的中间；源/漏区，位于所述半导体鳍片两端；浮栅，位于所述半导体鳍片的第一侧，并朝着远离所述半导体鳍片的方向延伸；以及第一控制栅，位于所述浮栅的顶部或围绕所述浮栅的顶部和侧壁。该非易失性存储器减小了短沟道效应的影响，可以提高存储密度，并且可以低成本地制造。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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