专利详情

专利名称	隔离结构以及半导体结构的形成方法
申请号	CN201110195439.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102881625A	公开（授权）日	2013.01.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	隔离结构以及半导体结构的形成方法至隔离结构以及半导体结构的形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及隔离结构以及半导体结构的形成方法。隔离结构的形成方法包括以下步骤：提供（110）晶面或（112）晶面的硅衬底并确定该硅衬底的[111]方向；通过湿法腐蚀所述硅衬底在所述硅衬底中形成第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向与[111]方向基本上垂直；利用第一绝缘材料填充所述第一沟槽以形成第一隔离结构；通过干法刻蚀所述硅衬底在所述硅衬底中形成第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直；利用第二绝缘材料填充所述第二沟槽以形成第二隔离结构。