专利详情

专利名称	一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法
申请号	CN201210350141.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102881769A	公开（授权）日	2013.01.16
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	王燕;刘尧平;叶大千;梅增霞;杜小龙
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I
专利有效期	一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法至一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法	法律状态	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
说明书摘要	本发明提供了一种用于黑硅的宽波段减反射方法，包括以下步骤：1）在黑硅表面上制备一层中间层，其中所述黑硅为具有陷光结构的硅；2）在步骤1）得到的中间层上沉积金属纳米颗粒，该金属纳米颗粒为不连续的或互不接触；3）对步骤2）得到的产物进行退火处理。该方法操作简单，成本低廉，该方法有效地结合黑硅技术、表面隔离保护技术及表面等离子体技术，实现了宽波段范围内的减反射效果，有利于应用在太阳能电池的工业化生产上。