专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201010223868.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102315268A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；鳍片，位于所述衬底上，所述鳍片具有相对分布的一对第一侧面和一对第二侧面，所述第一侧面和第二侧面相邻；以及一对栅极区，位于所述衬底上并且分别与所述鳍片的第一侧面相邻接；其中，所述鳍片包括：一对沟道区，位于所述鳍片中并且与所述栅极区相邻地分布，源/漏区，与所述沟道区和鳍片的第二侧面相接，以及晕圈超陡倒退阱区，其被所述沟道区和源/漏区所环绕。该半导体器件同时具备FinFET器件及平面MOSFET器件的优点，即，既能有效控制短沟道效应，又能减小寄生电阻和寄生电容。