专利详情

专利名称	一种提高真空等离子体喷涂钨涂层结合强度的方法
申请号	CN201010216477.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102312186A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	牛亚然;郑学斌;季珩;黄利平;丁传贤
主分类号	C23C4/12(2006.01)I	IPC主分类号	C23C4/12(2006.01)I;C23C4/08(2006.01)I;B32B15/01(2006.01)I
专利有效期	一种提高真空等离子体喷涂钨涂层结合强度的方法至一种提高真空等离子体喷涂钨涂层结合强度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于涂层材料领域，具体涉及一种提高真空等离子体喷涂钨涂层结合强度的方法。本发明中的方法为采用Cu-Mo复合涂层作为W涂层与铜合金基材间的中间层，且所述中间层的厚度为50-200μm。利用本发明提供的方法，通过工艺参数的控制可使制备的W涂层与铜合金基材间的结合强度达到40MPa以上，同时含中间层的涂层具有结构均匀、热导率高、工艺制备过程简单的特点。