专利详情

专利名称	一种氧化锌基宽禁带陶瓷靶材及其制备方法
申请号	CN201010217115.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102312202A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;万冬云;汪宙
主分类号	C23C14/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I
专利有效期	一种氧化锌基宽禁带陶瓷靶材及其制备方法至一种氧化锌基宽禁带陶瓷靶材及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种氧化锌基宽禁带陶瓷靶材及其制备方法，其特征在于采用液相法共沉淀制备高烧结活性的ZnO纳米粉体，利用该纳米粉体为原料通过独特的烧结工艺在低于900℃进行超高致密度烧结，获得了高致密度的富Zn(或缺O2)的ZnO靶材。基于此富Zn(或缺O2)的ZnO靶材，可利用直流磁控溅射取代了传统的射频磁控溅射制备高阻ZnO基透明薄膜，可广泛地应用于透明电子学和新型光电器件领域尤其是薄膜太阳能电池扩散阻挡层和窗口层。本发明获得的高性能氧化锌基陶瓷靶材制备工艺简单，成本低廉，具有很高的透过率和合适的电阻率，可以作为高性能高阻ZnO基透明薄膜制备的靶材，在太阳能电池和光电器件领域具有广泛的应用前景。