专利详情

专利名称	利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法
申请号	CN201010217128.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102312191A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;万冬云;汪宙
主分类号	C23C14/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法至利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种利用直流磁控溅射制备高阻透明ZnO薄膜的方法，其特征在于基于富Zn(或缺O2)氧化锌基宽禁带陶瓷材料靶材，利用直流磁控溅射取代了传统的射频磁控溅射制备高阻ZnO基透明薄膜，用于薄膜太阳能电池扩散阻挡层和窗口层。通过调整工艺参数，制备的氧化锌基高阻透明薄膜的电阻率可控制在104～108Ω·cm的范围内，在可见及近红外光区平均透过率在90％左右，与基于商用本征ZnO陶瓷靶材射频磁控溅射法制备的高阻ZnO薄膜相比，在相同的膜厚条件下，制备的薄膜透过率、电阻率及表面粗糙度与之相当。本发明制备工艺简单，成本低廉，并具有可见和近红外光区高的透明度，可广泛地应用于透明电子学和新型光电器件领域尤其是薄膜太阳能电池。