专利详情

专利名称	一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法
申请号	CN201010214666.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102315246A	公开（授权）日	2012.01.11
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	刘学超;陈之战;施尔畏
主分类号	H01L29/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/00(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/167(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I
专利有效期	一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法至一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底及其制备方法。该SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组分恒定的SiGe层；所述Ge晶籽层和所述Ge缓冲层组成Ge驰豫缓冲层。该SiGe虚拟衬底具有高Ge含量、完全弛豫、位错密度低、厚度薄、表面平整等特性。该SiGe虚拟衬底的制备方法为采用减压化学气相沉积法在Si衬底上依次生长各外延层。本发明所制备的弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底，可广泛应用于CMOS工艺中Ge沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上，进一步提高CMOS器件的性能。