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I-V二阶微分测量方法及装置

  • 申请号:CN201110232212.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 公开(公开)号:CN102323486A
  • 公开(公开)日:2012.01.18
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 I-V二阶微分测量方法及装置
申请号 CN201110232212.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102323486A 公开(授权)日 2012.01.18
申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 马仙梅;蒋春萍
主分类号 G01R27/14(2006.01)I IPC主分类号 G01R27/14(2006.01)I
专利有效期 I-V二阶微分测量方法及装置 至I-V二阶微分测量方法及装置 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种I-V二阶微分测量方法及装置。该装置包括直流信号源、函数发生器、具有分压作用的交直流加法器、前置放大器,锁相放大器及环境条件控制系统;该方法是:将选定频率的交流小信号通过交直流加法器与直流偏压叠加,共同作用于测试样品,含有测试样品信息的信号经前置放大器放大转换成电压信号,由锁相测量倍频信号电压。本发明的优点至少在于:(1)交直流加法器交流通路里含有分压器;(2)交流信号由函数发生器提供,精度较高,并经过分压后幅度很小,降低了其对直流偏置信号的影响,提高了信噪比;(3)直接测量I-V二阶微分随外界条件的变化曲线,方法简单,结果精确直观,并且对测试者电路设计水平要求不高。

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