
I-V二阶微分测量方法及装置
- 申请号:CN201110232212.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN102323486A
- 公开(公开)日:2012.01.18
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | I-V二阶微分测量方法及装置 | ||
申请号 | CN201110232212.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102323486A | 公开(授权)日 | 2012.01.18 |
申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 马仙梅;蒋春萍 |
主分类号 | G01R27/14(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R27/14(2006.01)I |
专利有效期 | I-V二阶微分测量方法及装置 至I-V二阶微分测量方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种I-V二阶微分测量方法及装置。该装置包括直流信号源、函数发生器、具有分压作用的交直流加法器、前置放大器,锁相放大器及环境条件控制系统;该方法是:将选定频率的交流小信号通过交直流加法器与直流偏压叠加,共同作用于测试样品,含有测试样品信息的信号经前置放大器放大转换成电压信号,由锁相测量倍频信号电压。本发明的优点至少在于:(1)交直流加法器交流通路里含有分压器;(2)交流信号由函数发生器提供,精度较高,并经过分压后幅度很小,降低了其对直流偏置信号的影响,提高了信噪比;(3)直接测量I-V二阶微分随外界条件的变化曲线,方法简单,结果精确直观,并且对测试者电路设计水平要求不高。 |
交易流程
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