专利详情

专利名称	基于横向剪切干涉结构的成像系统像差的测量方法
申请号	CN201210337416.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102866001A	公开（授权）日	2013.01.09
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	戴凤钊;唐锋;王向朝;张敏
主分类号	G01M11/02(2006.01)I	IPC主分类号	G01M11/02(2006.01)I;G01J9/02(2006.01)I
专利有效期	基于横向剪切干涉结构的成像系统像差的测量方法至基于横向剪切干涉结构的成像系统像差的测量方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于横向剪切干涉结构的成像系统像差的测量方法，测量系统包括光源、针孔掩模、剪切光栅、双窗口掩模、光电探测器和计算机，测量时将待测成像系统置于所述的针孔掩模和剪切光栅之间，测量步骤如下：①获取x方向和y方向的横向剪切干涉图；②获取x方向和y方向的差分波前；③利用模式法重建波前，获取区域法重建的初始值；④利用区域法重建波前，获得待测成像系统像差。本发明在不增加测量次数的基础上实现了高空间分辨率的成像系统像差的横向剪切法测量，并且测量精度对剪切量的变化不敏感，即波前测量误差不随剪切量的增大而明显增大。